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作 者:刘佳[1] 杨仁波[1] 邓湘云[1,2] 谭忠文[1] 李德军[1] 王晓慧[3] 李龙土[3]
机构地区:[1]天津师范大学物理与电子信息学院,天津300387 [2]热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室,硅锆钛资源综合开发与利用海南省重点实验室,海南大学材料与化工学院,海口570228 [3]清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084
出 处:《硅酸盐学报》2013年第4期432-436,共5页Journal of The Chinese Ceramic Society
基 金:国家'863'计划(2012AA03A610);国家'973'计划(2002-CB613301);国家自然科学基金(50872093)资助项目
摘 要:研究50nm BaTiO3陶瓷的铁电性能、介电性能的温度依赖性,其介温谱和介电损耗谱具有明显的弥散相变特征,当频率为1kHz时计算得到弥散指数γ为1.60。不同温度下的介电常数–电场强度(ε–E)曲线显示,介电异常发生在110~120℃的温度范围内,110℃时的介电可调性为20.2%,介电损耗小于0.02。压电位移曲线计算得到50nm BaTiO3陶瓷的压电系数d33为45pm/V。The temperature dependence on the dielectric and ferroelectric properties of dense BaTiO3 ceramic with the nanocrystallines of 50 nm was investigated. The relationship between the dielectric constant and loss tangent with respect to temperature effect was analyzed, and a significant diffuse phase transition was observed. The dispersion parameter was calculated to be 1.60 at 1 kHz. The dielectric constant-electric field (ε-E) loops at different temperatures showed that the permittivity anomalies occurred in a temperature range of 110-120℃. The dielectric constant tunability was 20.2% at 110 ℃, and the dielectric loss tangent was 〈0.02. Moreover, the positive piezoelectric coefficient d33 of 45 pm/V was determined from the slope of the loops.
分 类 号:TN305[电子电信—物理电子学]
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