热壁外延与Ⅳ-Ⅵ族半导体红外器件  

HOT WALL EPITAXY AND IR DEVICES MADE OF Ⅳ-Ⅵ SEMICONDUCTORS

作　　者：杨玉琨[1] 李冬妹[1] 陈海勇[1] 于三[1] 邹广田[1] 

机构地区：[1]吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春130023

出　　处：《物理》1999年第12期738-740,共3页Physics

基　　金：集成光电子国家重点联合实验室资助

摘　　要：文章介绍了热壁外延（ＨＷＥ） 技术及其应用．主要介绍了用热壁外延技术制作的几种Ⅳ－ Ⅵ族半导体红外探测器和激光器，介绍了这方面国际上近年来的一些新进展。Hot wall epitaxy (HWE)technology and its application are described,with emphasis on several kind of IR detectors and lasers made by HWE.New developments in this field including our own work are presented.

关 键 词：热壁外延 Ⅳ-Ⅵ族半导体 红外探测器 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学] TN304.24