用于高效硅太阳电池的原子层沉积Al_2O_3表面钝化特性研究  

作　　者：孙昀[1] 贾锐[1] 孟彦龙[1] 王仕建[1] 金智[1] 刘新宇[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所

出　　处：《太阳能》2013年第6期38-40,共3页Solar Energy

基　　金：科技部2009CB939703;2012AA050304;NSFC 51172268;11104319;2013年度基金重点;北京市Y2BK024001;中科院Y1YT064001;Y1YF034001;Y2YF014001

摘　　要：系统研究了采用热——原子层沉积技术生长的Al2O3对p型晶体硅的表面钝化特性。Al2O3膜层的钝化质量通过采用微波光电导衰减的方法证明Al2O3介质层可提供优异的表面钝化效果。此外,通过采用C-V技术和椭圆偏振光谱测试技术对Al2O3介质层的表征证明,除了薄膜层中的负固定电荷,Al2O3介质层的H的含量在钝化效果中起着关键作用。

关 键 词：AL2O3 ALD 硅表面钝化 少数载流子有效寿命 高效硅太阳电池 

分 类 号：TM914.41[电气工程—电力电子与电力传动]