减小CMOS逻辑器件的ΔI噪声的方法  

Strategy to reduce delta-I noise in CMOS

作　　者：任克宁[1] 张林昌[2] 沙斐[2] 

机构地区：[1]ElektrobitLtd.Tutkijantie890570 [2]北方交通大学抗电磁干扰中心

出　　处：《电波科学学报》2000年第3期282-288,共7页Chinese Journal of Radio Science

摘　　要：通过确定 CMOS逻辑器件的各种参数与馈通电流和容性负载充放电电流的定量关系 ,得出设计 CMOS逻辑器件的各种参数以减小ΔI噪声 ,从电磁兼容的角度提出了设计 CMOS器件的方法。The quantitative relation between the parameters of CMOS and the two currents is determined by calculation. Then the design of CMOS to reduce Delta I noise is achieved in the point of view of Electromagnetic Compatibility.

关 键 词：CMOS △I噪声 充放电电流 逻辑器件 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]