LD泵浦Nd:YVO_4晶体1342nm激光实验研究  

Laser Diode End-pumped Nd:YVO_4 Lasers at 1342 nm

作　　者：张恒利[1] 杨乾锁[1] 竺乃宜[1] 侯玮[2] 许祖彦[2] 

机构地区：[1]中国科学院力学研究所高温气体动力学开放实验室,北京100080 [2]中国科学院物理研究所光物理实验室,北京100080

出　　处：《量子电子学报》2000年第5期400-404,共5页Chinese Journal of Quantum Electronics

摘　　要：报道了采用不同腔长、不同透过率的输出镜及不同掺杂浓度的晶体时，激光二极管端面泵浦Ｎｄ：ＹＶＯ４晶体 １３４２ ｎｍ激光的输出特性．对三种不同搀杂浓度的晶体的实验结果表明，输出为基横模，在输出 １Ｗ时，稳定性皆优于 ０．２％；搀杂浓度较高的晶体，在泵浦功率逐渐增加时更容易饱和．采用 ０．５％搀杂的晶体，最大获得 ３ Ｗ 激光输出，斜效率 ４３．７％．We report here a high efficient diode pumped Nd:YVO4 laser emitting at 1342 nm . The dependence of output power and efficiency on cavity length, transmittance of the output mirrors and doped density of Nd ion in YVO4 crystals was investigated, a maximum output power of 3 W was obtained.

关 键 词：激光二极管 LD泵浦 ND:YVO4晶体 激光实验 

分 类 号：TN244[电子电信—物理电子学]