HgCdTe薄膜的反局域效应  

Antilocalization effect in HgCdTe film

作　　者：魏来明[1] 刘新智[1] 俞国林[1] 高矿红[1,2] 王奇伟[1] 林铁[1] 郭少令[1] 魏彦峰[3] 杨建荣[3] 何力[3] 戴宁[1] 褚君浩[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 [2]华东师范大学信息科学技术学院极化材料与器件教育部重点实验室,上海200062 [3]中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083

出　　处：《红外与毫米波学报》2013年第2期141-144,共4页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2013CB922301;2012CB619204);国家自然科学基金(60976093;10934007;11174306;11104073);上海市创新专项基金项目(11DZ1140500);信息功能材料国家重点实验室开放课题;上海技术物理所创新专项(Q-ZY-76)~~

摘　　要：利用液相外延法制备了Hg0.77Cd0.23Te薄膜样品,在对样品的低温磁输运测试中观察到反局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.通过Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)局域模型加上Drude电导模型拟合磁电导曲线,得到了电子的退相干时间和自旋-轨道散射时间.研究结果表明,电子的退相规律符合Nyquist退相机制.The antilocalization effect is observed by magnetotransport measurement at low temperature on a Hgo.77 Cd0.23 Te sample prepared by liquid epitaxy technique, which suggests a strong spin-orbit interaction within this system. The phase coherence time and spin-orbit scattering time of electrons are extracted by fitting the experiment data with the Hikami-Larkin-Nagaoka （HLN） theory plus the Drude conductance model. According to the temperature dependence of phase coherence time, we also find that the Nyquist mechanism dominates the dephasing process.

关 键 词：反局域 退相干时间 自旋-轨道耦合 

分 类 号：O484.3[理学—固体物理]