新型同质结构远红外探测器(英文)  

NOVEL HOMOJUNCTION FAR INFRARED DETECTORS

作　　者：沈文忠[1,2] 

机构地区：[1]上海交通大学应用物理系,上海200030 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《红外与毫米波学报》2000年第3期161-168,共8页Journal of Infrared and Millimeter Waves

基　　金：国家教育部优秀青年教师教学与科研奖励基金;国家自然科学基金!(编号 6960 60 0 6)资助&&

摘　　要：从理论和实验两方面简要评述了 p- Ga As和 Si同质结界面功函数内光发射 (HIWIP)远红外 (>40μm)探测器的最新发展 .重点讨论了此探测器的光响应机制和探测器性能 .结果表明 ,p- Ga As和 Si的The recent development of p GaAs and Si homojunction interfacial workfunction internal photoemission (HIWIP) far infrared (>40μm) detectors was briefly reviewed, both theoretically and experimentally. The emphasis is on the detector photoresponse mechanism and detector performance. Promising results indicate that p GaAs and Si HIWIP far infrared detectors have great potentiality to become a strong competitor in far infrared applications.

关 键 词：同质结构 远红外 探测器 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]