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作 者:彭伟娣[1] 张文杰[1] 谢亮[1] 金湘亮[1]
机构地区:[1]湘潭大学材料与光电物理学院,湖南湘潭411105
出 处:《固体电子学研究与进展》2013年第2期179-182,共4页Research & Progress of SSE
基 金:中国科学技术部国家重大科技资助项目(20112x05008-005-04-02);国家自然科学基金资助项目(61274043);国家自然科学基金重点资助项目(61233010);湖南省教育厅科研基金资助项目(12JJ4064)
摘 要:在芯片上电过程中,需要复位电路提供一个复位信号,保证系统正常启动。为了解决传统电路中起拉电压和复位时间较难控制等问题,提出一种利用反相器翻转电压设置起拉电压、电容控制复位时间的新型结构。该上电复位电路在MXIC0.5μm CMOS工艺上得以验证实现。测试结果表明在正负电源分别为0V和-5V的情况下,电路的起拉电平为-4.5V,复位时间为3.44ms,满足工程要求。During the process of charging the chip with electricity, a reset signal of the pow- er-on reset circuit is needed to guarantee normal work of the chip. In order to solve the problems in traditional power-on reset circuits such as hard to control the pull level and reset time and so forth, a new structure which uses the inverter trigging signal to set pull level and control the re- set time with the capacitances was proposed in this paper. This power-on reset circuit was veri- fied in MXIC 0. 5 μm CMOS technology. And the test result indicated that the circuit pull level is -4.5 V, and the reset time is 3.44 ms with 0 V positive and -5 V negative power. So this cir- cuit can meet the engineering requirements well.
分 类 号:TN431[电子电信—微电子学与固体电子学]
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