磁性隧道结Ni_(80)Fe_(20)/Al_2O_3/Co的制备和物性  

PREPARATION AND PROPERTIES OF Ni_(80) Fe_(20)/Al_2O_3/Co MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS

作　　者：陈璟[1] 杜军[1] 吴小山[1] 潘明虎[1] 龙建国[1] 张维[1] 鹿牧[1] 翟宏如[2] 胡安[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系固体微结构物理国家重点实验室,南京210093 [2]南京大学现代分析中心,南京210093

出　　处：《物理》2000年第1期5-6,18,共3页Physics

基　　金：国家自然科学基金;高等学校博士点基金;95 国家攀登计划项目

摘　　要：用等离子体氧化形成绝缘层的方法，重复性地制备出了Ｎｉ８０Ｆｅ２０／Ａｌ２Ｏ３／Ｃｏ 磁性隧道结．样品的隧道磁电阻（ＴＭＲ） 比值在室温下最高可达６－０ ％ ，翻转场（ｓｗｉｔｃｈ ｆｉｅｌｄ）可低于８００Ａ／ｍ ，平台宽度约２４００Ａ／ｍ ．结电阻的变化范围从几百欧姆到几百千欧．With plasma oxidization to create an insulating layer of Al\-2O\-3,we have repeatedly fabricated Ni 80 Fe 20 /Al\-2O\-3/Co magnetic tunnel junctions which show obvious tunneling magnetoresistance (TMR) effect.At room temperature,the maximum TMR ratio reaches 6 0%.The switch field can be less than 800A/m with a relative step width of about 2400A/m.The junction resistance changes from hundreds of ohms to hundreds of kilohms.

关 键 词：磁性隧道结 隧道磁电阻 等离子体氧化 绝缘层 

分 类 号：O482.54[一般工业技术—材料科学与工程]