检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:赵红东[1,2] 张以谟[3] 张存善 周革[3] 沈光地[4]
机构地区:[1]河北工业大学电气信息学院 [2]天津大学精密仪器与光电子工程学院教育部光电子信息工程实验室,天津300072 [3]天津大学精密仪器与光电子工程学院教育部光电子信息工程实验室 [4]北京工业大学电子工程学系北京市光电子技术实验室
出 处:《Journal of Semiconductors》2000年第10期984-987,共4页半导体学报(英文版)
基 金:北京市自然科学基金!( No.4 972 0 0 6);河北省博士基金;河北省教育厅科研计划;河北工业大学科研计划资助项目&&
摘 要:应用腔量子电动力学和量子阱物理 ,计算了量子阱 DBR微腔激光器的自发发射谱 .发现由于 DBR微腔和量子阱分别对光子和载流子的限制 ,单方向的自发发射可以增进约三个量级 ,总的自发发射增强一个量级 .Based on cavity quantum electrodynamics and physics of quantum well, the spontaneous emission spectra in quantum well micro cavity lasers with DBRs have been calculated. As a result, spontaneous emission intensity in one direction can be enhanced to about10\+3 times greater than that in the semiconductor bulk material due to the confinement of the micro cavity with DBRs and quantum well to the photons and carries, respectively. The total spontaneous emission intensity also increases 10 times.
关 键 词:量子阱微腔激光器 自发发射 DBR 量子电动力学
分 类 号:TN248[电子电信—物理电子学]
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