氢气热处理制备大块导电石墨烯薄膜及表征  被引量:3

Synthesis and characterization of large-area graphene films

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作  者:赵南[1] 杨娟[1] 周亚洲[1] 赵登祥[2] 韩国琪[2] 王超志[2] 程晓农[1] 

机构地区:[1]江苏大学材料科学与工程学院,江苏镇江212013 [2]江苏大学京江学院,江苏镇江212013

出  处:《功能材料》2013年第9期1342-1345,共4页Journal of Functional Materials

基  金:国家自然科学基金资助项目(50902061);江苏省六大人才高峰项目(D类)资助项目(2009137);江苏省2012年度普通高校研究生科研创新计划资助项目(CXZZ12-0670);2011年江苏省高等学校大学生实践创新训练计划;江苏大学第十批学生科研立项资助项目(Y10A056)

摘  要:通过真空抽滤水中分散良好的氧化石墨烯获得薄膜,并在600℃氢气气氛中保温2h还原即可获得含氧量极低的大片导电石墨烯(GE)薄膜。以X射线衍射(XRD)、红外分析(FT-IR)、拉曼光谱仪(Ramanspectroscopy)研究氢气气氛热处理前后薄膜的物相、官能团组成和分子结构;采用SEM观察石墨烯薄膜的表面形貌;采用四探针测试仪对氢气气氛热处理前后薄膜的电学行为进行了对比考察。实验结果表明,氢气气氛热处理氧化石墨烯可以获得含氧量极低且导电性能优良的石墨烯;96mL浓度为0.0937mg/mL的氧化石墨烯溶液抽滤膜经氢气处理后获得的石墨烯薄膜方阻达到11.3Ω/□,薄膜电阻率为0.6Ω.cm。A large-area of conductity grapnene film thin films which was prepared by fihing a graphene oxide (GO) sheet suspension through a membrane with an pore size of 25nm. The structure, morphology, composition and vibrational modes of the products were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), Fourier transform infrared absorbance spectroscopy (FT-IR) and Raman spectroscopy. The electrical properties of obtained graphene thin films were tested by Four-point probe. Results showed that most of the oxygen-containing groups were reduced in the hydrogen heat-treatment process. The average sheet resistance and film resistivity of the graphene film (GE) were 11.3Ω/□, 0.6 Ω. cm,respectively

关 键 词:石墨烯薄膜 氢气热处理 电学性能 氧化石墨烯 真空抽滤 

分 类 号:TB322[一般工业技术—材料科学与工程]

 

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