低温红外面阵读出电路中的高性能缓冲器设计  

Design of high performance buffer for cryogenic IR plane array readout circuit

作　　者：闫广[1] 赵毅强[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《传感器与微系统》2013年第5期128-130,134,共4页Transducer and Microsystem Technologies

基　　金：天津市科技支撑计划资助项目(11ZCKFGX01400)

摘　　要：使用chrt 0.35μm 3.3V CMOS工艺设计了用于制冷型红外面阵读出电路的高性能输出缓冲器,该缓冲器能在红外读出电路5M/s的读出速度下驱动约25pF的负载电容,在输出幅度为2V的条件下,建立时间为40ns,平均功耗为3.94mA。给出了修改chrt 0.35μm后的模型参数的仿真结果与最后的测试结果,基本满足红外读出电路的设计要求。A high-performance output buffer for cooling infrared（IR）plane array ROIC is designed using chrt 0.35 μm 3.3V CMOS technology.The buffer drives a load capacitance of about 25 pF with readout rate 5M/s of IR readout circuit.In the condition of output 2V,setup time is 40ns and average power consumption is 3.94 mA.Simulation result and final test result of model parameters of chrt 0.35 μm is given,which basicly meets design requirements of infrared readout circuit.

关 键 词：低温 红外 AB类输出级 恒定跨导 轨到轨 低功耗 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]