半导体锁模激光器的最新研究进展  

Recent Progress of Semiconductor Mode-Locked Lasers

作　　者：王火雷[1] 孔亮[2] 潘教青[1] 徐天鸿[4] 计伟[3] 倪海桥[1] 崔碧峰[3] 丁颖[2,5] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083 [2]邓迪大学工程物理和数学学院,英国邓迪DD1 4HN [3]北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124 [4]都灵理工大学电子与通信系,意大利都灵10129 [5]集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083

出　　处：《激光与光电子学进展》2013年第5期14-27,共14页Laser & Optoelectronics Progress

基　　金：集成光电子学国家重点联合实验室开放课题(2011KFB002)资助课题

摘　　要：超短脉冲激光源在光纤通信、生物医学成像等方面具有重要的应用前景。半导体锁模激光器具有体积小、重量轻、效率高、价格便宜等一系列优点。因此半导体锁模激光器成为超短脉冲激光源的理想选择。通过对400nm～2μm范围各个波段半导体锁模激光器的最新研究报道进行分析和总结,全面介绍了半导体锁模激光器的研究进展。Ultrashort-pulse lasers are attractive sources for a number of applications including optical fiber communication and biomedical imaging etc. Semiconductor mode-locked lasers are excellent candidates for ultrashort pulse generation due to their advantages in compactness, weight, energy efficiency and cost. We give a comprehensive introduction to the latest progress of semiconductor mode-locked lasers based on an overall review of recent research reports for the semiconductor mode-locked lasers operating at the wavelength range from 400 nm to 2 μm.

关 键 词：激光器 半导体 模式锁定 超短脉冲 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]