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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:金硕[1] 王文武[1] 武莉莉[1] 曾广根[1] 李卫[1] 张静全[1] 黎兵[1] 冯良桓[1]
机构地区:[1]四川大学材料科学与工程学院,四川成都610064
出 处:《激光与光电子学进展》2013年第5期223-228,共6页Laser & Optoelectronics Progress
基 金:国家973计划(2011CBA00708);四川省科技支撑计划(2011GZ0015)资助课题
摘 要:使用真空共蒸发法沉积了Cd1-xZnxTe(CZT)多晶薄膜,在气相50%CdCl2+50%ZnCl2源以及气相ZnCl2源气氛下进行了不同温度、不同时间的退火处理,并对样品进行了X射线荧光(XRF)、扫描电镜(SEM)、透射谱和导电类型等性质测试。结果表明,使用50%CdCl2+50%ZnCl2混合源退火后,样品禁带宽度明显减小;使用ZnCl2源两步退火可得到膜面完整、晶粒显著增大以及禁带宽度无明显减小的CZT薄膜样品,退火温度及ZnCl2量对样品膜面形貌及电学性质有重要影响。Abstract Cd1-xZnxTe (CZT) polycrystalline thin films are deposited by vacuum co-evaporation and then annealed either with 50% CdCl2 + 50 % ZnCl2 complex source or with ZnCl~ source. The optical, morphological and electrical properties of films annealed at different temperatures and in different time are studied by X-ray fluorescence, scanning electron microscopy, transmission spectra and conduction type tests. The results show that the band gaps of CZT thin films annealed with 50 % CdCl2 + 50 % ZnCl2 complex source decrease apparently. CZT thin films annealed with ZnCl2 source show smooth morphology and larger grain size and the band gaps remain steady. Both annealing temperature and the amount of ZnCl2 source have influence on film morphology and electrical properties. Key words thin films; Cd1-xZnxTe; solar cell; annealing; CdCl2/ZnCl2
关 键 词:薄膜 Cd1-xZnxTe 太阳电池 退火 CdCl2/ZnCl2
分 类 号:TB321[一般工业技术—材料科学与工程]
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