掺杂BaTiO3/SrTiO3多层膜与太赫兹波相互作用  

Reciprocity between terahertz waves and doped BaTiO_3/SrTiO_3 multilayer films

作　　者：王雪敏[1,2] 沈昌乐[1,2] 王瑜英[1,2] 黎维华[1,2] 彭丽萍[1,2] 雷红文[1,2] 吴卫东[1,2] 唐永建[1,2] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院激光聚变研究中心,等离子体物理重点实验室,四川绵阳621900 [2]中国工程物理研究院太赫兹研究中心,四川绵阳621900

出　　处：《强激光与粒子束》2013年第6期1427-1430,共4页High Power Laser and Particle Beams

基　　金：科技部重大仪器专项(2011YQ130018)

摘　　要：掺杂半导体中的载流子吸收在THz波段非常明显,其相互作用研究是研制THz通信中的关键器件之一的基础。采用氟化氪(KrF)脉冲准分子激光烧蚀沉积(PLD)技术,制备了Ni掺杂BaTiO3/SrTiO3多层膜。基于辐射频率为3.09THz、脉冲功率为10mW量级的THz量子级联激光器(QCL)光源研究了太赫兹波在Ni掺杂BaTiO3/SrTiO3多层膜中的传输,发现损耗主要是Ni颗粒的非共振吸收导致。The carrier absorption of the doped semiconductor materials is evident in terahertz （THz）. The reciprocity study is the basis for preparing the key apparatus in the THz communications. Using a pulsed KrF excimer laser ablation （PLD） technique, the Ni-doped BaTiO3/SrTiO3 multilayer film has been prepared. Based on 3.09 THz quantum cascade laser （QCL） with the peak optical power about 10 mW, the transition of THz waves in the Ni-doped BaTiO3/SrTiO3 multilayer films is studied. It is found that the main loss may be due to the nonresonant absorption of Ni particles.

关 键 词：太赫兹 量子级联激光器 多层薄膜 激光烧蚀沉积 掺杂 

分 类 号：TN911.73[电子电信—通信与信息系统]