P型微晶硅及其在柔性衬底太阳电池中的应用  

P type microcrystalline film and its application to amorphous solar cells on flexible substrate

作　　者：蔡宏琨[1,2] 陶科[3] 胡居涛[1] 靳果[1] 谢轲[1] 张德贤[1,2] 

机构地区：[1]南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系,天津300071 [2]天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津300071 [3]东京工业大学像情报工学研究所,日本横滨226-0018

出　　处：《中国科学：物理学、力学、天文学》2013年第5期621-625,共5页Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica

基　　金：国家高技术研究发展计划(编号:2011AA050513);中央高校基本科研业务费专项资金(编号:65012001)资助项目

摘　　要：本文以B(CH3)3(TMB)为掺杂剂,通过射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对P型微晶硅(c-Si:H)薄膜材料进行了研究.通过测试材料电学、光学及微结构特性等,研究了硅烷浓度与掺杂浓度对薄膜性能的影响.将上述材料分别应用于PEN/ZnO柔性衬底及SnO2玻璃衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,PEN柔性衬底的非晶硅太阳电池得到了4.63%的光电转换效率,玻璃衬底非晶硅太阳电池得到了5.72%的光电转换效率.In this paper, P type microcrystalline films had been prepared and studied, using plasma enhanced chemical vapor deposition （RF-PECVD） technique and B（CH3）3（TMB） as dopant. To investigating these materials, the major processing parameters of silane concentration, TMB doping ratio are optimized. The influences of above parameters to the materials＇ electrical, optical and micro-structural properties are investigated. Finally, the materials are used to fabricate a-Si：H solar cells on PEN/ZnO flexible substrate and glass/SnO2 substrate. The initial efficiency are 4.63% and 5.72%, respectively.

关 键 词：P型微晶硅碳 B(CH3)3(TMB) 柔性衬底 非晶硅 太阳电池 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]