脱氢表雄酮硫酸酯对地佐环平所致记忆小鼠的作用及对NMDA刺激的PC12细胞钙离子的影响  

作　　者：王颖[1] 

机构地区：[1]安徽理工大学

出　　处：《考试周刊》2013年第32期138-140,共3页

摘　　要：为了探讨脱氢表雄酮硫酸酯对地佐环平所致记忆小鼠的作用及对PCI2细胞钙离子的影响。本研究采用地佐环平（0．15rag·kg-1，ip）造成小鼠记忆损伤模型，利用被动逃避实验评价小鼠记忆成绩。培养的PCI2细胞用Fura-2／AM负载．用荧光分光光度计测量PCI2细胞钙离子变化。在被动逃避实验中，地佐环平造成小鼠记忆损伤，脱氢表雄酮硫酸酯（10、20mg·kg，SC）预处理能减少跳台错误次数（P〈o．01），延长跳台潜伏期（P〈0．01）和避暗潜伏期（P〈0．01）。NMDA刺激的PCI2细胞模型[Ca2＋]．明显增高（P〈0．05），脱氢表雄酮硫酸酯（100~mol-L‘）预’‘处理后与模型组相比[Ca2＋]．明显增高（P〈0．01）。研究结果表明，脱氢表雄酮硫酸酯可以改善地佐环平所致记忆损伤．机制可能与其能提高NMDA受体功能有关。

关 键 词：脱氢表雄酮硫酸酯 地佐环平 记忆 PC12 Ca2+ 

分 类 号：Q26[生物学—细胞生物学]