基态SiC(X^1Σ^+)分子势能函数的研究  

The potentlal energy function for the ground state X^1Σ^+ of SiC

作　　者：谢洪平[1] 陈泽琴[1] 张静 吕利刚[1] 

机构地区：[1]四川师范学院化学系,四川南充637002

出　　处：《四川师范学院学报（自然科学版）》2000年第3期252-254,共3页Journal of Sichuan Teachers College(Natural Science)

基　　金：重庆市科学技术基金;四川师范学院重点科基金资助项目!(98- 2 6 )

摘　　要：运用Gaussian 94程序 ,由从头计算方法计算了基态SiC(X1Σ+ )分子的平衡结构和离解能 ,利用单点计算的结果 ,采用Murrell Sorbie函数形式 ,拟合出了SiC分子的分析势能函数 ,并计算出SiC分子的光谱常数ωe,ωeχe,Be,αe的值 .The equilibrium structure for thd ground state X 1Σ + of the SiC molecule has been calculated using Gaussian 94 program with QCISD(Quadratic Configuration Interaction of Single and Double Substitution)/6-311++G**method.Analytical potential energy function for SiC(X 1Σ +)has been derived basing on the ab initio calculation.Additionaly,the spectrum constants ω e,ω eχ e,B eand α e are also worked out.

关 键 词：从头计算 分析势能函数 分子物理 碳化硅材料 

分 类 号：O561.4[理学—原子与分子物理] TB321[理学—物理]