纤锌矿GaN／ZnO量子阱中的电子—界面声子相互作用  

作　　者：夏雅兵[1] 

机构地区：[1]新乡职业技术学院,河南新乡453000

出　　处：《科学与财富》2013年第7期154-155,共2页Sciences & Wealth

摘　　要：近年来，宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、A1N及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用，已成为半导体材料领域的研究热点，其中一个十分重要的课题就是这些材料所构成的异质结中的光学声子模及其电声相互作用。由于光学声子模对纤锌矿量子阱的理论性质有重要的影响。因此研究纤锌矿GaN／ZnO光学声子模性质具有十分重要的物理意义。

关 键 词：量子阱 界面声子 色散关系 电声相互作用 

分 类 号：TN15[电子电信—物理电子学]