Si4团簇电子输运性质的第一性原理计算  

First-principles calculations of the electron transport through Si_4 cluster

作　　者：柳福提[1,2] 程艳[2] 羊富彬[2] 程晓洪[1] 陈向荣[2] 

机构地区：[1]宜宾学院物理与电子工程学院,宜宾644000 [2]四川大学物理科学与技术学院,成都610065

出　　处：《物理学报》2013年第14期55-59,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11174214,11204192);四川省教育厅科研基金项目(批准号:13ZB0207)资助的课题~~

摘　　要：采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法对Si4团簇与Au(100)电极空位相连的纳米结点的电子输运性质进行了理论模拟计算,得到了纳米结点在不同距离下的几何结构、电子结构、电导、透射谱、电荷转移量;讨论了当距离dz=12.004A时纳米结点的电导、电流随电压的变化关系.Electron transport properties of Si4 cluster-Au （100） electrode nanojunction is investigated with a combination of density functional theory and non-equilibrium Green’s function method. We calculate the geometric structures, electronic structures, conductances, transmission spectra and charge transfers of Au-Si4-Au nanoscale junctions under different distances. We also discuss the variations of conductance and current with external voltage when the distance of junction is 12.004 A.

关 键 词：密度泛函理论 非平衡格林函数 Si4团簇 电子输运 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]