BaTiO_3/p-Si异质结的整流特性和光诱导特性的研究  

Rectifying behavior and photocarrier injection effect in BaTiO_3 /p-Si heterostructure

作　　者：杨世海[1] 金克新[1] 王晶[1] 罗炳成[1] 陈长乐[1] 

机构地区：[1]西北工业大学,凝聚态结构与性质陕西省重点实验室,空间应用物理与化学教育部重点实验室,西安710072

出　　处：《物理学报》2013年第14期415-418,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61078057;51172183;51202195);陕西省自然科学基金(批准号:2011JM6013;2012JQ8013);航空基金(批准号:2011ZF53065);西北工业大学基础研究基金(批准号:JC201155;JC20120246;JC20110270)资助的课题~~

摘　　要：利用脉冲激光沉积法成功制备了BaTiO3/p-Si异质结,该异质结在80—300K显示出了良好的整流特性和光诱导特性.开启电压随着温度的升高而逐渐降低.利用不同频率的光子辐照样品,观察到明显的光电导效应.且随着照射光子能量的增大,结电流也相应变大,光诱导效应越明显.BaTiO3薄膜电阻-温度(R-T)曲线显示氧缺陷条件下BaTiO3薄膜具有良好的半导体特性.A good rectifying behavior is observed in a temperature range from 80 K to 300 K in the BaTiO3 /p-Si heterostructure, which is fabricated by a pulse laser deposition. The diffusion voltage （VD ） decreases with the increase of temperature. A significant photocarrier injection effect is also observed with light irradiation. The photocarrier injection effect increases with the energy of photon increasing. Meanwhile, R-T curve of the BaTiO3 film indicates that the oxygen-deficient BaTiO 3 is an n-type semiconductor.

关 键 词：异质结 光诱导效应 BaTiO3薄膜 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]