高压浮动MOS栅极驱动器  

作　　者：李晶[1] 王凌峰[1] 黎鹏飞[1] 

机构地区：[1]中国船舶重工集团公司第七一二所,武汉430064

出　　处：《船电技术》2000年第3期33-40,共8页Marine Electric & Electronic Engineering

摘　　要：当功率MOSFET或IGBT用作高压侧开关时,对它的驱动有严格要求,当前有几种技术可用来实现这种功能。本文主要介绍电压自举法的特点、典型电路、参数选择及应用。

关 键 词：高压侧开关 电平转换器 栅极驱动器 瞬间反压 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]