Vishay发布新款具有“R”失效率的QPL钽氮化物薄膜片式电阻  

出　　处：《电子设计工程》2013年第14期180-180,共1页Electronic Design Engineering

摘　　要：Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出通过MIL-PRF-55342认证的新系列QPL表面贴装片式电阻——E/H（Ta2N）,该电阻具有公认的高可靠性,失效率达到每1 000 h0.01%的＂R＂级。新款E/H（Ta2N）电阻采用耐潮的钽氮化物电阻膜技术制造,为军工和航天应用提供了更好的规格指标,包括0.1%的公差和25 ppm/℃的TCR。

关 键 词：片式电阻 氮化物薄膜 失效率 钽 表面贴装 高可靠性 规格指标 航天应用 

分 类 号：TN383.1[电子电信—物理电子学]