a-Si/μc-Si叠层结构太阳能电池中的光诱导性能衰退  

Light-induced Degradation in a-Si/μc-Si Tandem Solar Cells

作　　者：林鸿生[1] 林罡[1] 段开敏[1] 

机构地区：[1]中国科学技术大学物理系,合肥230026

出　　处：《固体电子学研究与进展》2000年第3期313-317,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：安徽省自然科学基金资助项目!批准号 986 415 5 0

摘　　要：通过应用 Scharfetter- Gummel解法数值求解 Poisson方程 ,对经高强度光辐照过的a- Si/ μc- Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果表明 ,光生空穴俘获造成的 a- Si∶H(与μc- Si∶ H)中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高 a- Si∶ H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给 a- Si/μc- Si叠层结构中的 a- Si∶ H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生 a- Si/μc- Si叠层太阳能电池顶电池 (a- Si∶ H p- i- n)的光诱导性能衰退。a- Si/μc- Si叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。A computer simulation model of a Si/μc Si tandem solar cells subjected to light soaking using a Scharfetter Gummel solution of Poissons equation has been developed. The results indicate that due to photogenerated hole trapping, the increased positive space charge density changes the electric field distribution and raises the electric field intensity throughout the a Si∶H film. Under illumination, the space charge effects cant cause a quasineutral region (low field “dead layer”)in a Si∶H film of a Si/μc Si tandem structures, not resulting in the light induced degradation in top cell (a Si∶H p i n) of a Si/μc Si tandem solar cells. The a Si/μc Si tandem structure possesses high light stability.

关 键 词：光诱导性能衰退 叠层结构 太阳能电池 

分 类 号：TM914.4[电气工程—电力电子与电力传动]