同型异质结埋栅太阳电池设计与仿真研究  

THE DESIGN AND SIMULATION STUDY ON HETERO AND p-n STACKED JUNCTIONS SOLAR CELL WITH BURIED CONTACT

作　　者：王强[1,2] 孙树叶 张竹青[3] 花国然[3] 

机构地区：[1]苏州大学物理科学与技术学院,苏州215006 [2]南通大学电子信息学院,南通226019 [3]南通大学机械工程学院,南通226019

出　　处：《太阳能学报》2013年第7期1149-1152,共4页Acta Energiae Solaris Sinica

基　　金：国家自然科学青年基金(51205212);江苏省自然科学基金(BK2008184);南通市应用研究计划(K2010014;BK2011024)

摘　　要：设计了一种具有同型异质结埋栅结构的太阳电池，该电池与类似的多晶硅电池相比，其在400-600nm及大于850nm波段的光谱响应及开路电压增强。通过对全仿真波段光谱响应强度的积分表明，该电池比多晶硅电池光谱响应提高约2％。随着a—Si薄膜厚度的增加，在300～850nm波段光谱响应强度逐步下降，在850nm波长以后，随着薄膜厚度的增加，光谱响应逐步增强。A hetero junction and p-n junction stacked solar cell with buried contact was designed. Compared with common polysilicon solar cell, the spectrum response and open voltage of HIT-BC solar cell is increased. A 2% increasing of the spectrum response integration is achieved. The spectrum response intensity between 300-850nm decreases with increasing of a-Si thin film thickness. But after 850nm, the spectrum response increases with the increasing of the thin film thickness.

关 键 词：太阳电池 异质结 光谱响应 叠层结构 器件仿真 

分 类 号：TM914[电气工程—电力电子与电力传动]