平行耦合四量子点体系自旋相关的Fano效应  

作　　者：王晓飞[1] 

机构地区：[1]哈尔滨师范大学物理与电子工程学院,黑龙江哈尔滨150025

出　　处：《黑龙江科技信息》2013年第18期142-142,共1页Heilongjiang Science and Technology Information

摘　　要：研究了平行耦合四量子点体系的自旋相关的Fano效应。量子点1、3和量子点2、4之间的耦合强度取定值,当量子点1、2之间的耦合强度很小时,对其输运性质基本不产生影响。量子点1、2间的耦合强度增大时,多通道间的量子相干会导致电导谱中出现Fano峰。

关 键 词：量子点 Fano效应 

分 类 号：TM27[一般工业技术—材料科学与工程]