5.8GHz CMOS全集成低噪声放大器设计  

Design of a 5.8 GHz and Fully Integrated CMOS Low Noise Amplifier

作　　者：张尚坤[1] 宋树祥[1] 

机构地区：[1]广西师范大学电子工程学院,广西桂林541004

出　　处：《广西师范大学学报（自然科学版）》2013年第2期13-18,共6页Journal of Guangxi Normal University:Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61061006)

摘　　要：针对目前在LNA设计中存在需要在任意给定的功耗条件下噪声和输入阻抗同步匹配的问题,本文采用TSMC0.18μm RF工艺,通过利用共源共栅结构和功耗受限下噪声和阻抗同步匹配技术(PCSNIM),提出了一个可支持IEEE802.11a无线局域网(WLAN)标准的5.8GHz CMOS低噪声放大器,在中心频率处所提出的低噪放大器的噪声系数(NF)只有0.972dB。仿真结果表明:在1.8V供电电压下LNA的功耗为6.4mW,增益可达17.04dB,输入1dB压缩点(P1dB)约为-21.22dBm,同时具有良好的输入输出匹配特性。In view of the problem of needing synchronous matching of noise and input impedance in the LNA design in any given power,in this paper,a 5.8 Ghz CMOS low noise amplifier which supports the IEEE 802.11a WLAN standards is presented utilizing a standard TSMC 0.18 μm RF process by using the cascade structure and power-constrained simultaneous noise and input matching technique（PCSNIM）.The noise figure（NF） of the proposed LNA at the central frequency is only 0.972 dB.The simulation results demonstrate that the LNA has a power consumption of 6.4 mW,a gain of 17.04 dB,and an input 1 dB compression point（P1 dB） about-21.22 dBm while at 1.8 V supply voltage.The proposed LNA also achieves good input and output match performance.

关 键 词：低噪声放大器 噪声系数 功耗 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]