Cr-N薄膜抗氧化性能的研究  

Study of the oxidation resistance of Cr-N film

作　　者：成钢[1] 曾卫东[1] 陈金全[1] 

机构地区：[1]桂林电子工业学院计算科学与应用物理系,广西桂林541004

出　　处：《桂林工学院学报》2000年第3期252-255,共4页Journal of Guilin University of Technology

基　　金：桂林电子工业学院青年科学基金资助项目

摘　　要：应用空心阴极离子镀膜技术制备的Cr-N薄膜其结构与氮气分压有关。在大气中 ,退火温度为 50 0℃高温条件下 ,Cr-N薄膜的抗氧化性能与N含量有关。由椭偏术测量得出CrN结构的Cr-N薄膜抗氧化性能最佳 ,而Cr2 N结构的Cr-N薄膜抗氧化性能最差 ,且都遵循抛物线氧化规律。The Cr-N films are coated by hollow cathode discharge technique and the structure of Cr-N films is related to N 2 partial pressure. At atmosphere the oxidation resistance of Cr-N films will be affected by N content when the anneal temperature is 500 ℃. The oxidation resistance of CrN film is better than that of Cr 2N film and Cr film in 500 ℃ by the ellipsometry technique. The oxygen reaction of Cr-N film and Cr film obeies the parabolic.

关 键 词：椭圆偏振测量术 抗氧化性能 铬-氮薄膜 

分 类 号：O484.5[理学—固体物理]