反向偏压调制下Ⅰ型阱结构体系光致发光特性的研究  

Study on the photoluminescence properties of typeⅠquantum well system under reverse bias modulation

作　　者：朱海娜[1] 徐征[2] 郑宁[1] 张链[1] 陈子坚[1] 

机构地区：[1]天津中德职业技术学院,天津300350 [2]北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室光电子技术研究所,北京100044

出　　处：《现代显示》2013年第4期54-58,共5页Advanced Display

基　　金：国家自然科学基金(10774013);国家自然科学基金(10804006);天津市高等职业技术教育研究会课题XI423;天津中德职业技术学院校级科研项目(zdkt 2012-017)

摘　　要：实验过程中研究了8-hydroxyq-uinoline aluminum(Alq_3)和2-(4-biphenylyl)-5(4-tertbutyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole(PBD)构成的Ⅰ型有机阱结构器件在反向偏压调制下的光致发光。器件的光致发光光谱主要是Alq_3的发光。不同周期数的阱结构器件在反向电场作用下,光致发光的猝灭程度不同。The photoluminescence of organic devices of type I quantum well structure consisting of 8-hydroxyq＇ -uinoline aluminum （AIq3） and 2- （4-biphenylyl）-5 （4-tert-butyl-phenyl）-l,3,4 -oxadiazole （PBD） under reverse bias modulation have been studied. Photoluminescence spectrum of these devices is mainly about Alq3. The photoluminescence quenching of the degree about different cycle numbers of well structure devices, under reverse electric field modulation are different.

关 键 词：光致发光 猝灭 阱结构 光谱 

分 类 号：O482.3[理学—固体物理]