图案化ZnO纳米线阵列制备与应用的研究进展  

Progress in Preparation and Application of Patterned ZnO Nanowire Arrays

作　　者：蒋雪梅[1] 俎喜红[1] 张政[1] 黄海亮[1] 易国斌[1] 

机构地区：[1]广东工业大学轻工化工学院,广州510006

出　　处：《材料导报》2013年第15期125-131,共7页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(51273048;51203025);广东省自然科学基金(S2012040007725);广东高校创新人才培育计划(育苗工程)项目(2012LYM_0059);广东省绿色化学产品技术重点实验室开放基金(GC201103)

摘　　要：综述了多种图案化制备ZnO纳米线阵列的技术,包括电子束光刻技术、纳米球蚀刻技术、激光干涉光刻技术、纳米压印技术和嵌段共聚物蚀刻技术等。介绍了图案化ZnO纳米线阵列在传感器、太阳能电池和UV检测器等功能器件中的应用进展,分析了图案化ZnO纳米线阵列制备与应用中的优点、意义及存在的问题,并展望了其未来发展趋势。Various patterning technologies of ZnO nanowire arrays, such as electron beam lithography, nano- sphere lithography, laser interferometric lithography, nanoimprint lithography and block copolymer nanolithography, are reviewed. And the applications of patterned ZnO nanowire arrays in functional devices, such as sensors, UV de- tectors and solar cells, etc, are introduced. The advantages, values and problems in the preparation and application of patterned ZnO nanowire arrays are analyzed, and its development trend is previewed.

关 键 词：ZNO纳米线 图案化技术 阵列 

分 类 号：TB321[一般工业技术—材料科学与工程]