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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:曾广根[1] 冯良桓[1] 张静全[1] 黎兵[1] 武莉莉[1] 李卫[1] 王文武[1]
机构地区:[1]四川大学材料科学与工程学院,成都610064
出 处:《太阳能学报》2013年第8期1307-1310,共4页Acta Energiae Solaris Sinica
基 金:四川大学青年基金(2008003)
摘 要:为了提高CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池转换效率,改善器件性能,制备出一种结构为玻璃/SnO2∶F/未掺杂SnO2/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe∶Cu/Ni的薄膜太阳电池。同时与无SnO2插入层的太阳电池进行对比分析。研究发现:具有SnO2插入层的太阳电池填充因子增加19.52%,开路电压提高3.23%,电池并联电阻增加56%,转换效率增加30%,电池的均匀性得到改善,有利于规模化大生产。To improve the conversion efficiency of the CdS/CdTe polycrystalline thin film cells, the cells with the structure of Glass/SnO2: F/un-doped SnO2/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe: Cu/Ni were fabricated. The performances of cells with or without un-doped SnO2 were compared and analyzed. The results show that the cells with un-doped SnO2 raise FF of 19.52% , Voc of 3.23% , shunt resistance of 56% and conversion efficiency of 30%. At the same time, the uniformity of devices is improved after introducing un-doped SnO2 which is helpful for industrial production.
关 键 词:转换效率 均匀性 未掺杂SnO2薄膜 CDS CDTE太阳电池
分 类 号:TM914.42[电气工程—电力电子与电力传动]
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