一种宽范围电压探测器的设计  

作　　者：吴金[1] 常昌远 魏同立 夏君[1] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心,江苏南京210096

出　　处：《半导体技术》2000年第6期33-36,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：以耗尽型ＮＭＯＳ管构成参考电压，通过激光修整，调节有关电阻的阻值和ＭＯＳ管的栅长，设计了一种探测范围很广的电压探测器。ＳＰＩＣＥ模拟表明，该电压探测器具有功耗低、温度漂移低、精确度高的特点。

关 键 词：模拟集成电路 电压探测器 激光修整 CMOS 

分 类 号：TN431.1[电子电信—微电子学与固体电子学]