CMOS集成电路的自热效应和均匀温度分布的电热耦合模拟  

Self-heat effect and uniform electro-thermal simulation of CMOS IC

作　　者：刘淼[1] 周润德[1] 贾松良[1] 

机构地区：[1]清华大学微电子所,北京100084

出　　处：《半导体技术》2000年第6期26-29,共4页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金重大项目!(59995550-01)

摘　　要：集成电路实际是由相互耦合的电学子系统和热学子系统共同组成。本文基于具体的封装结构提出集成电路的热学分析模型，分析了温度对集成电路性能和功耗的影响。并且针对均匀温度分布的集成电路，采用解耦法实现了电热耦合模拟软件ＥＴｓｉｍ。An integrated circuit is an ensemble of electrical subsystem and thermal subsystem. In this paper a thermal analysis model for a specific kind of packaged IC chip is proposed and the temperature-dependent circuit performance is analyzed. Based on relaxation method, we have developed an electro-thermal simulator (ETsim), which can be used to simulate the electro-thermal effect under uniform temperature distribution.

关 键 词：CMOS集成电路 自热效应 电热耦合模拟 温度分布 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]