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作 者:王光辉[1]
机构地区:[1]华南师范大学广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室,广东广州510631
出 处:《量子光学学报》2013年第3期280-286,共7页Journal of Quantum Optics
基 金:国家自然科学基金(项目编号:61178003)
摘 要:在考虑半导体量子阱中导带电子对外加激光场非局域光学响应的情况下,利用格林函数方法推导出了光透射率的解析表达式,并以典型的GaAs/AlGaAs为材料的Pschl-Teller量子势阱为例进行数值计算。计算结果表明,由于电子对激光场的非局域光学响应,半导体量子阱的透射光谱的谱线在共振峰附近出现明显地蓝移,蓝移的大小与量子阱宽度有紧密的联系。在有效的纳米尺度范围内,半导体量子阱越宽,透射谱线的蓝移也就越大。另外,光场强度和量子阱结构参数等因素对透射光谱的影响也被澄清。Analytic expression for optical transmission spectrum is obtained by utilizing the Green function method in the case of nonlocal optical responses of electrons in the conduction band of quantum wells.Optical transmission spectra for typical GaAs/AlGaAs quantum wells of a Poschl-Teller potential are investigated in detail.The numerical results show that optical transmission spectrum has an evident blueshift due to the nonlocal optical responses of electrons to applied laser fields,which is dependent closely on the width of the quantum wells.In the effective nano-size region,the wider the width of the quantum well is,the more the blueshift will be.In addition,the influence from the laser intensity and the structure parameter on the transmission spectrum is also analyzed.
关 键 词:Poschl-Teller势阱 非局域光学响应 透射谱
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