采用高能电子束辐照技术制造高反压大功率开关晶体管  

Production of high-tension high-power switch transistors by high energy electron irradiation

作　　者：杭德生[1] 赖启基[1] 高澎[1] 朱以漳[1] 杨从群 王厚稳[1] 席德勋[1] 冯文荃[1] 

机构地区：[1]南京大学,南京210008

出　　处：《核技术》2000年第10期743-745,共3页Nuclear Techniques

摘　　要：应用最佳能量为１２ＭｅＶ的电子束对大功率开关晶体管进行了辐照．结果表明，经电子束辐照的开关晶体管具有开关特性优良、热稳定性高、器件参数一致性好等特点。The high energy (12MeV) electrons were used to irradiate the high-power switch transistors. The irradiated transistors had good switch performance, high thermal stability and parameter consistency.

关 键 词：开关晶体管 退火试验 电子束辐照 制造工艺 

分 类 号：TN323.6[电子电信—物理电子学] O571.33[理学—粒子物理与原子核物理]