双包层掺铥光纤的研制  

作　　者：冯高锋 杨军勇 马静 葛锡良 

机构地区：[1]富通集团有限公司,富阳311422

出　　处：《现代传输》2013年第4期59-61,共3页Modern Transmission

摘　　要：采用改进化学汽相沉积结合溶液掺杂法制备了Tm:Al共掺石英光纤预制棒。预制棒芯层Tm_2O_3掺杂浓度达到～2.8wt.%。成功拉制出内包层截面形状为八边形的双包层光纤,包层吸收系数达到～1.8dB/m@793nm。

关 键 词：掺铥光纤 MCVD 掺杂浓度 吸收系数 

分 类 号：TN253[电子电信—物理电子学]