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作 者:陈建[1,2] 秦志辉[1] 卢双赞[1,2] 曹更玉[1]
机构地区:[1]中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室,湖北武汉430071 [2]中国科学院大学,北京100049
出 处:《电子显微学报》2013年第4期331-336,共6页Journal of Chinese Electron Microscopy Society
基 金:国家自然科学基金资助项目(No.11004219)
摘 要:利用扫描隧道显微镜(STM)研究分析了内嵌金属富勒烯分子Gd@C82在Cu(111)和Pt(111)上的低温(200~250 K)生长方式和吸附结构。不同强弱的分子-衬底间相互作用导致Gd@C82在Cu(111)和Pt(111)上的生长方式有很大区别。经过热处理后,Gd@C82分子诱导Cu(111)衬底发生重构,而在Pt(111)上未发现此现象。两种金属衬底不同的晶格常数和电子性质导致退火后的分子自组装结构也不一样:Gd@C82在Cu(111)上形成等价的两种吸附结构,即(√19×√19)R23.4°和(√19×√19)R36.6°;分子在Pt(111)上形成一种与〈110〉方向一致的密堆积结构。The growth and adsorption structures of endohedral metallofullerene Gd@ Cs2 adsorbed on Cu ( 1 1 1 ) and Pt ( 111 ) at low temperature (200 -250 K) were investigated by scanning tunneling microscopy (STM). Different molecule-substrate interactions lead to discrepant growth patterns of molecules on Cu( 111 ) and Pt( 111 ). Gd@ Cs2 molecules induce Cu( 111 ) substrate reconstruction by thermal treatment. However, this phenomenon is not observed on Pt( 111 ). Due to different lattice constants and electronic properties of these two substrates, the stable self-assembled structures of Gd@ Cs2 after annealing are not consistent. Two equivalent adsorption structures are formed on Cu( 111 ), i.e. , ( √19×√19) R23.4° and ( √19×√19) R36.6°, whereas on Pt( 111 ) the structure with the arrangement direction consistent with the lattice of the substrate is formed.
分 类 号:O561[理学—原子与分子物理]
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