超大规模集成电路设计基础 第二讲 NMOS 集成电路基础  

作　　者：刘以暠 冯世琴 

机构地区：[1]中科院遥感卫星地面站 [2]中科院文献情报中心

出　　处：《电子技术应用》1991年第2期37-40,共4页Application of Electronic Technique

摘　　要：2.1 增强型与耗尽型NMOS晶体管NMOS集成电路中最小单元是两种场效应晶体管,即增强型和耗尽型NMOS场效应管,分别简称为NMOS(E)和NMOS(D),其符号和结构如图2.1所示。

关 键 词：VLSI MOS 集成电路 超大规模 

分 类 号：TN470.2[电子电信—微电子学与固体电子学]