包覆纳米二氧化硅的照明LED用YAG荧光粉的制备及其发光性能研究  

作　　者：李峰[1] 梅桢[1] 苟少秋[1] 

机构地区：[1]西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安710048

出　　处：《轻工标准与质量》2013年第4期66-67,共2页Standard & Quality of Light Industry

基　　金：陕西省教育厅科学技术研究计划基金资助项目(11JK0825);陕西省科学技术研究发展计划基金资助项目(2011JQ6005)

摘　　要：采用物理吸附法制备了纳米SiO2包膜的LED用YAG荧光粉。对样品进行了扫描电镜分析(SEM)与发射光谱、相对亮度的测定。实验结果表明:采用物理吸附的方式实现了纳米SiO2的包覆;与未包覆样品相比,SiO2包覆后YAG荧光粉在460nm蓝光激发下的发射光谱会产生微小的蓝移,而对其激发光谱没有任何影响;此外,SiO2包覆有效地提高了YAG:Ce3+荧光粉的相对亮度,并且亮度随包覆量的变化而变化。

关 键 词：YAG 纳米二氧化硅 发光特性 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程] TN104.3[电子电信—物理电子学]