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机构地区:[1]哈尔滨工业大学(威海)信息与电气工程学院,山东威海264209 [2]哈尔滨工业大学电子科学与技术系,黑龙江哈尔滨150080 [3]哈尔滨工业大学信息与通信工程系,黑龙江哈尔滨150080
出 处:《华中科技大学学报(自然科学版)》2013年第8期20-23,共4页Journal of Huazhong University of Science and Technology(Natural Science Edition)
基 金:国家自然科学基金资助项目(61100031);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(HIT.NSRIF.2013139).
摘 要:提出了一种高阶分段非线性曲率校正带隙基准源,其特征在于在传统一阶带隙基准源上增加了两条支路电流.在低温段,曲率校正电路从一阶基准源输出支路抽取电流,降低其输出的正温度系数;在高温段,曲率校正电路向一阶基准源注入电流,对其负温度系数进行补偿.该带隙基准源采用GlobalFoundry0.35μm混合信号CMOS工艺设计,芯片面积为0.14mm2,电源电流为47μA.仿真结果表明:提出的曲率校正带隙基准源在-40~125℃范围内实现了四个温度系数的极值点,其温度系数为0.7×10-6℃-1.温度系数、2~4V内的线性调整率和低频电源抑制测试结果分别为7.8×10-6℃-1,0.8mV·V-1和-69.5dB.By adding two current branches to a conventional first-order BGR (bandgap reference), a BGR for high-order piecewise nonlinear curvature correction was formed. In the lower temperature range (TR), the curvature correction circuit will subtract the current from the output branch of the first-order BGR to decrease its positive temperature dependence. While in the higher temperature range, the circuit will inject current to the output branch of the first-order BGR to compensate its negative temperature dependence. The proposed BGR was designed in Global Foundry 0.35 μm mixed-signal CMOS process with chip area of 0.14 mm2 and current of 47 μA. Simulation result shows the proposed BGR achieves four extrema in the TR of -40~125 ℃, which means the simulated temperature coefficient (TC) is only 0.7×10-6 ℃-1. Measurement result shows the TC, line regulation in the supply range of 2~4 V and low frequency PSR (power supply rejection) are 7.8×10-6 ℃-1, 0.8 mV·V-1, and -69.5 dB, respectively.
关 键 词:带隙基准源 分段非线性 曲率校正 温度系数 线性调整率 电源抑制
分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]
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