功率VDMOSFET研制  

Research for power VDMOSFET

作　　者：朱静远 茅盘松 谢世健 

出　　处：《电子器件》1991年第2期63-66,共4页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：本文简单介绍了BV_(DS)>200V,I_(DS)>2A的功率VDMOSFET的研制与工艺,并给出了测试结果.In this paper the research and fabrication of power VDMOSFET of the BVDS > 200V.TDS > 2A are simply presented and experimental resuts are given.

关 键 词：功率VDMOSFE 电压控制器 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]