空气中烧成的镍导体及其特性  

作　　者：赵玲[1] 

机构地区：[1]昆明贵金属研究所

出　　处：《电子元件与材料》1991年第5期35-37,共3页Electronic Components And Materials

摘　　要：镍导体在空气中烧成,最佳烧结温度840℃,烧成时间35min,方阻小于30mΩ。

关 键 词：镍 导体 厚膜 烧结 

分 类 号：TM241[一般工业技术—材料科学与工程]