铂合金靶及铂合金膜  

出　　处：《有色金属与稀土应用》2013年第3期40-40,共1页Non-Ferrous Metals & Rareearth

摘　　要：近年来，为了更加提高半导体存储器的高密度化，要求更加提高在半导体存储器中形成的强电介质电容器性能，但是在作为上部电极和下部电极使用在所述以往的材料中均一分散金属氧化物的铂合金膜的时候，由于在电极中分散含有金属氧化物，所以与将纯铂膜作为上部电极和下部电极使用时相比，存在作为强电介质电容器的性能劣化的缺陷。

关 键 词：合金膜 铂膜 合金靶 半导体存储器 介质电容器 金属氧化物 性能劣化 高密度化 

分 类 号：TQ153.2[化学工程—电化学工业]