GaAs薄膜的有效量子限制长度及其极化子特性  

Effective length of quantum confinement and polaron effect in a GaAs film

作　　者：刘炳灿[1] 李华[1] 严亮星[2] 孙慧[2] 田强[2] 

机构地区：[1]装甲兵工程学院基础部,北京100072 [2]北京师范大学物理系,北京100875

出　　处：《物理学报》2013年第19期434-437,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10574011;10974017)资助的课题~~

摘　　要：本文用分数维方法研究AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子特性,提出了确定GaAs薄膜的有效量子限制长度的一个新方法,解决了原来方法中在衬底势垒处有效量子限制长度发散的困难,得到了AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子的维数和结合能.The polaron confined in a GaAs film deposited on Alx Ga1-x As substrate are investigated in the framework of the fractional-dimensional space approach. We propose a new approach to define the effective length of quantum confinement. Limitations of the definition of original effective well width are discussed. The dimension and the binding energy of a polaron confined in a GaAs film deposited on Al0.3Ga0.7As substrate are obtained and investigated.

关 键 词：分数维方法 极化子 GaAs薄膜 

分 类 号：O484[理学—固体物理]