高功率正交场器件中反同轴高频结构设计  

The Inverse Coaxial High Frequency Structure Design of High Power Crossed Field Device

作　　者：贾晔 

机构地区：[1]北京真空电子技术总公司,北京100015

出　　处：《真空电子技术》2013年第4期101-105,共5页Vacuum Electronics

摘　　要：本文通过介绍反同轴高频(慢波)结构在正交场器件中的典型设计应用。试图为低成本正交场微波源高功率化找到一种新的实现方法,而不是一味地要求提高阴极的发射性能。同时探讨利用新型高次模(2π)腔体的可能性。通过简单的分析和公式推导归纳和PIC高频仿真软件的腔体模拟计算得到了预期的场分布模型。基本映证了2π模反同轴高频慢波结构工程应用的可行性。为实际工程型号设计奠定了基础。This paper introduces the typical design of an inverse coaxial high frequency （Slow wave） structure in the crossed field device.A new method to increase the output power of crossed field device is proposed rather than simply improve the field emission properties.At the same time the possibility of using higher order mode （2π） cavity was explored.The expected mode distribution is obtained through simple analysis and formula deduction and PIC simulation.The feasibility of 2π mode inverse coaxial slow wave structure engineering application is verified which lay a foundation for practical engineering project.

关 键 词：高功率 低成本 反同轴高频慢波结构 短毫米波 微波功率源 反同轴磁控管 

分 类 号：TN123[电子电信—物理电子学]