Si_(1-x)Ge_x单晶用热系统改进  

Modification of the Hotzone for Growth of Si_(1-x)Ge_x Crystals

作　　者：韩焕鹏[1] 刘锋[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《电子工业专用设备》2013年第9期1-4,38,共5页Equipment for Electronic Products Manufacturing

基　　金：天津市自然科学基金(项目编号:10JCYBJC01000)

摘　　要：阐述了对原GaAs单晶拉制用LEC单晶炉热系统进行改造使其适于Si1-x Gex单晶生长的过程。借助数值模拟的方法分析了晶体生长区域内的温度分布情况,并通过分析发现了原有热系统的不足。重新对原热系统进行了改造,添加了起到保温和氩气导流作用的热屏和上保温装置,使原来的敞开式热场变为密闭式热场,满足了Si1-x Gex单晶拉制的要求。通过具体实验和数值模拟结合,分析了氩气流场及不同流场对晶体生长的影响,发现并改进了单晶炉的氩气供给装置存在的问题。This paper introduced the numerical simulation method have been used studing the Si1-xGex Czochralski （CZ） growth. Global heat distribution and transfer computations in the entire CZ system and according to result of computations , we found the open hotzone system did not satisfy the growth of the SiGe crystal , then we modified the hotzone system in the LEC furnace .With the hot shield and upper heat preventation, the closed hotzone system can prevent the loss of heat and guild the argon flow, all of these changes can satisfy the need of SiGe crystal.

关 键 词：数值模拟 Si1-xGex单晶 热屏 氩气流场 

分 类 号：TN304.9[电子电信—物理电子学]