一维Ga_2O_3纳米材料及其光电导性能研究进展  

Research Progress on One Dimensional Gallium Oxide Nanomaterial and Its Photoconductive Properties

作　　者：段艳廷 赵登[3] 张瑞平[3] 邢杰[1] 郝会颖[1] 董敬敬[1] 

机构地区：[1]中国地质大学(北京) 数理学院,北京市海淀区学院路29号100083 [2]中国地质大学(北京)地球物理与信息技术学院,北京市海淀区学院路29号100083 [3]中国地质大学(北京)信息工程学院,北京市海淀区学院路29号100083

出　　处：《光谱实验室》2013年第6期2858-2862,共5页Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory

基　　金：中国地质大学(北京)大学生A类创新实验项目(201211415075);中央高校基本科研业务费项目(2011YXL060)

摘　　要：一维纳米材料以其特殊的物理和化学性质成为了现在纳米材料研究的热点。目前国内对一维纳米材料研究主要体现在两方面:一是一维纳米材料的制备;二是纳米材料的功能器件研究,如光电探测器、气敏探测器等。本文综述了一维Ga2O3纳米材料的几种常用的制备方法,包括工艺参数及生长机理,并简单介绍了Ga2O3光电导探测器的工作原理及最近的研究成果。One dimensional nanomaterial has been the research focus due to its special physical and chemical properties. Up to now, domestic research on one dimensional Ga203 nanomaterial has been concentrated on two aspects： one is preparation of Ga203 nanomaterials; the other is characterization of the functionality of Ga203 nanomaterials, such as photodetector, gas sensor, etc. This paper reviews the preparation methods of Ga2O3 nanomaterials,including processing parameters and growth mechanism,and at the same time gives a simple introduction on the working principle of photoconductive photodetector and the latest research results.

关 键 词：三氧化二镓 一维纳米材料 光电导 

分 类 号：TQ133.51[化学工程—无机化工]