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作 者:张杨[1,2] 黄燕[2] 陈效双[2] 陆卫[2]
机构地区:[1]中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥230029 [2]中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083
出 处:《物理学报》2013年第20期371-376,共6页Acta Physica Sinica
摘 要:基于第一性原理方法,采用广义梯度近似的交换关联势,对InSb材料(110)表面的硫吸附和氧吸附之后体系性质的差异进行了分析.讨论了两种吸附下的键长、键角、能带结构和态密度的变化,从理论上论证了硫吸附比氧吸附对InSb红外探测器表面态的钝化有优越性,有利于工艺上在钝化时的选择.In this paper, we analyze the difference between oxygen and sulfur adsorption on the InSb (110) surface by using the first-principles energy calculations. The merits of sulfur adsorption are demonstrated theoretically. Thus the reason why the sulfur passiva-tion that is necessary in technology can be well explained.
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