3 - 10 Helium Decoration of Vacancy-type Defects in Tungsten Induced by 200 keV He-ions  

作　　者：Cui Minghuan Wang Zhiguang Pang Lilong Shen Tielong Yao Cunfeng Li Bingsheng Li Jinyu Cao Xingzhong Zhang Peng Sun Jianrong Zhu Yabin Li Yuanfei Sheng Yanbin 

出　　处：《IMP & HIRFL Annual Report》2012年第1期97-97,共1页中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报（英文版）

关 键 词：空位型缺陷 诱导 国际热核实验反应堆 离子 电子 装饰 氦气 钨 

分 类 号：TL816[核科学技术—核技术及应用] TQ174.756[化学工程—陶瓷工业]