电流扫描速度对临界电流影响的数值模拟研究  

NUMERICAL SIMULATION ON THE EFFECT OF SWEEPING RATE OF APPLIED CURRENT ON THE CRITICAL CURRENT

作　　者：张月蘅[1,2] 徐政[1] 丁世英[2] 

机构地区：[1]同济大学材料科学与工程学院,上海200092 [2]南京大学物理系,国家固体微结构物理实验室,南京210093

出　　处：《低温物理学报》2000年第6期433-438,共6页Low Temperature Physical Letters

摘　　要：我们采用数值模拟的方法 ,利用电动力学方程和磁通玻璃态蠕动机制研究了电输运测量中电流扫描速度 (dI/dt)对临界电流 (Ic)的影响 .结果表明 ,当加电流速度大于某一值dI /dt时Ic 随dI/dt增加非线性减小 .dI /dt与判据Vc 的选择有关 .当Vc 大到一定程度 ,dI/dt对Ic 的影响将无法观测到 .By solving electric dynamics equation based collective creep model numerically, we study the effect of sweeping rate of applied current (d I /d t ) on critical current ( I\-c ) in transport measurement. It is found that when d I /d t is larger than a certain value d I\+* /d t , I\-c decreases nonlinearly with increasing d I /d t . And d I\+* /d t depends on the selection of criterion V\-c . If V\-c is large enough, the effect of d I /d t on I\-c is too small to be detected.

关 键 词：电流扫描速度 临界电流 数值模拟 超导体 

分 类 号：O511[理学—低温物理]